鎢燈絲掃描電鏡
型 號(hào)SEM2000
所屬分類光學(xué)顯微鏡
報(bào)價(jià)
更新時(shí)間2024-11-19
產(chǎn)品概述
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 儀器種類 | 熱場(chǎng)發(fā)射 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,綜合 |
SEM2000是一款基礎(chǔ)款的多功能分析型鎢燈絲掃描電鏡。20?kV分辨率可以做到3.9?nm，支持升級(jí)30?kV電壓，可觀察亞微級(jí)尺度樣品的微觀結(jié)構(gòu)信息。擁有比臺(tái)式電鏡更大的移動(dòng)范圍，適用于快速篩選待測(cè)樣品，更多的擴(kuò)展接口，可搭載BSED、EDS等附件，使應(yīng)用領(lǐng)域更廣。
鎢燈絲掃描電鏡
（30 kV可選）
*軟件界面僅供參考
純中文的操作界面
功能設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單易操作。符合國(guó)人使用習(xí)慣，即使是新手用戶，簡(jiǎn)單了解后也能快速上手。
完善的自動(dòng)化功能
自動(dòng)亮度對(duì)比度、自動(dòng)聚焦、自動(dòng)像散，均可一鍵調(diào)節(jié)，提高工作效率。
豐富的測(cè)量工具
長(zhǎng)度、面積、圓度、角度等測(cè)量功能強(qiáng)大的照片管理和預(yù)覽、編輯功能。
光學(xué)導(dǎo)航
想看哪里點(diǎn)哪里，導(dǎo)航更輕松
標(biāo)配光學(xué)導(dǎo)航攝像頭，可拍攝高清樣品臺(tái)照片，快速定位樣品。
防撞設(shè)計(jì)
對(duì)新手更友好的防碰撞設(shè)計(jì)，最大限度保護(hù)敏感單元。
一鍵成像
*軟件一鍵成像，新手也能輕松駕馭。
分析距離
最佳分析距離和成像距離二合一，輕松體驗(yàn)優(yōu)質(zhì)性能。
SEM2000軟件支持一鍵切換SE和BSE的混合成像?？赏瑫r(shí)觀察到樣品的形貌信息和成分信息。
SE：3.9 nm @20 kV
BSE：4.5 nm @ 20 kV
高靈敏度背散射探測(cè)器
· 多通道成像
探測(cè)器設(shè)計(jì)精巧，靈敏度高，采用4分割設(shè)計(jì)，無(wú)需傾斜樣品，可獲得不同方向的陰影像以及成分分布圖像。
四個(gè)單通道的陰影像
成分像
· 二次電子成像和背散射電子成像對(duì)比
背散射電子成像模式下，荷電效應(yīng)明顯減弱，并且可以獲得樣品表面更多的成分信息。
鐵礦石-（SE）
鐵礦石-（BSE）
能譜
金屬夾雜物能譜面掃分析結(jié)果。
電子背散射衍射
鎢燈絲電鏡束流大，高分辨EBSD的測(cè)試需求，能夠?qū)饘佟⑻沾?、礦物等多晶材料進(jìn)行晶體取向標(biāo)定以及晶粒度大小等分析。 該圖為Ni金屬標(biāo)樣的EBSD反極圖，能夠識(shí)別晶粒大小和取向，判斷晶界和孿晶，對(duì)材料組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行精確判斷。
新米胚乳淀粉顆粒顯微結(jié)構(gòu)
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×5000
鹽
加速電壓：1 kV / 放大倍率：×2000
纖維截面
加速電壓：7 kV / 放大倍率：×1000
高分子透鏡陣列
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×200
載催化劑鎳網(wǎng)
加速電壓：20 kV / 放大倍率：×200
仲鎢酸銨
加速電壓：5 kV / 放大倍率：×1000
MnS夾雜
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×500
金屬斷口
加速電壓：20 kV / 放大倍率：×200
負(fù)極碳包硅
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×3000
干法拉伸薄膜
加速電壓：3 kV / 放大倍率：×5000
磷酸鐵鋰
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×5000
鈷酸鋰
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×5000
PCB板
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×100
PCB板（車燈）
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×100
銅箔生箔
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×10000
芯片
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×500
紅翅鶴頂粉蝶
加速電壓：3 kV / 放大倍率：×5000
密蒙花中藥顆粒
加速電壓：3 kV / 放大倍率：×2000
槲寄生中藥原粉
加速電壓：3 kV / 放大倍率：×2000
片球菌屬
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×30000
| 電子光學(xué)系統(tǒng) | 電子槍類型 | 預(yù)對(duì)中型發(fā)叉式鎢燈絲電子槍 |
| 分辨率 | 3.9 nm @ 20 kV（SE） | |
| 4.5 nm @ 20 kV（BSE） | ||
| 放大倍率 | 1 x～300,000 x | |
| 加速電壓 | 0.5 kV～20 kV | |
| 成像系統(tǒng) | 探測(cè)器 | 二次電子探測(cè)器（ETD） |
| *背散射電子探測(cè)器、*能譜儀EDS等 | ||
| 圖像保存格式 | TIFF、JPG、BMP、PNG | |
| 真空系統(tǒng) | 高真空 | 優(yōu)于5×10-4 Pa |
| 控制方式 | 全自動(dòng)控制 | |
| 泵 | 機(jī)械泵×1，分子泵×1 | |
| 樣品室 | 攝像頭 | 光學(xué)導(dǎo)航 |
| 樣品臺(tái)配置 | 兩軸自動(dòng) | |
| 行程 | X: 100 mm | |
| Y: 100 mm | ||
| 軟件 | 語(yǔ)言 | 中文 |
| 操作系統(tǒng) | Windows | |
| 導(dǎo)航 | 光學(xué)導(dǎo)航、手勢(shì)快捷導(dǎo)航 | |
| 自動(dòng)功能 | 自動(dòng)亮度對(duì)比度、自動(dòng)聚焦、自動(dòng)像散 | |
| 特色功能 | 智能輔助消像散、大圖拼接（選配軟件） | |
| 安裝要求 | 房間 | 長(zhǎng) ≥ 3000 mm，寬 ≥ 4000 mm，高 ≥ 2300 mm |
| 溫度 | 20 ℃～25 ℃ | |
| 濕度 | ≤ 50 % | |
| 電氣參數(shù) | 電源AC 220 V(±10 %),50 Hz,2 kVA |
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